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Fairchild Semiconductor FDS7766S

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型号

FDS7766S

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDS7766S

商品类别

无类别的

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

起订量

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FDS7766S
FDS7766S Fairchild Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS7766S详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDS7766S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    8-SOIC

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    17A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • 厂商

    Fairchild Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    1W (Ta)

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SO-8

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    FDS7766S

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.36

  • Part Package Code

    SOT

  • Drain Current-Max (ID)

    17 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    PowerTrench®

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    有

  • 端子表面处理

    TIN

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5.5mOhm @ 17A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4785 pF @ 15 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    58 nC @ 5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • Vgs（最大值）

    ±16V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0055 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    -

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FDS7766S拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS