对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 质量 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 端子位置 | 终端形式 | 额定电流 | 极性 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 雪崩能量等级(Eas) | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS8884/ | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS8884 | ON Semiconductor | 数据表 | 38400 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 130mg | SILICON | 2.5W Ta | 8.5A Ta | 4.5V 10V | 1 | 42 ns | 2.5V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | PowerTrench® | e4 | yes | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 快速切换 | 30V | DUAL | 鸥翼 | 8.5A | Single | 增强型MOSFET | 2.5W | 5 ns | N-Channel | SWITCHING | 23m Ω @ 8.5A, 10V | 635pF @ 15V | 13nC @ 10V | 9ns | ±20V | 21 ns | 8.5A | 1.7V | 20V | 0.023Ohm | 30V | 40A | 32 mJ | 1.5mm | 5mm | 4mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||
FDS8884 | Aptina | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 | 8.5(A) | 30(V) | Military | SOIC | -55C to 150C | ±20(V) | Enhancement | 1 | 无 | 表面贴装 | 卷带 | 功率MOSFET | N | 2.5(W) |


哦! 它是空的。