Fairchild Semiconductor FJX3015RTF
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FJX3015RTF
836-FJX3015RTF
分立半导体产品
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
1最小包装量--
FJX3015RTF详情
Fairchild Semiconductor FJX3015RTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
hFEMin
33
Voltage Rating (DC)
50 V
RoHS
Compliant
包装
卷带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
200 mW
额定电流
100 mA
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
200 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
100 mA
转换频率
250 MHz
发射极基极电压 (VEBO)
10 V
连续集电极电流
100 mA
无铅
无铅
FJX3015RTF拓展信息
Fairchild Semiconductor
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