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Fairchild Semiconductor FQA16N25

Name: FQA16N25
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQA16N25
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FQA16N25

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQA16N25

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 250V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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FQA16N25 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 250V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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FQA16N25详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQA16N25重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

TO-3P, 3 PIN
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

FQA16N25
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank

5.88
Part Package Code

TO-3P
Drain Current-Max (ID)

18.5 A
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别

FET 通用电源
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

compliant
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)

18.5 A
漏极-源极导通最大电阻

0.23 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

74 A
DS 击穿电压-最小值

250 V
雪崩能量等级（Eas）

560 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

190 W

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FQA16N25拓展信息

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