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Fairchild Semiconductor FQB2N30
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FQB2N30
836-FQB2N30
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
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FQB2N30 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
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