Fairchild Semiconductor FQL50N40

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

安装类型

通孔

供应商器件包装

HPM F2

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

460W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

75mOhm @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

210 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

400 V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-