HGT1S7N60C3D
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Fairchild Semiconductor HGT1S7N60C3D

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型号

HGT1S7N60C3D

utmel 编号

836-HGT1S7N60C3D

商品类别

传感器,变送器

封装

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA, TO-262, 3PIN

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HGT1S7N60C3D Fairchild Semiconductor Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA, TO-262, 3PIN

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HGT1S7N60C3D详情

Fairchild Semiconductor HGT1S7N60C3D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

  • 供应商器件包装

    I2PAK (TO-262)

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    14 A

  • 厂商

    Fairchild Semiconductor

  • Product Status

    活跃

  • Test Conditions

    -

  • 操作温度

    -40°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    60 W

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    600 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2V @ 15V, 7A

  • IGBT类型

    -

  • 闸门收费

    38 nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    56 A

  • Td(开/关)@25°C

    -

  • 开关能量

    -

  • 反向恢复时间(trr)

    25 ns

0个相似型号

HGT1S7N60C3D拓展信息

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