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Fairchild Semiconductor HUF76113T3ST

Name: HUF76113T3ST
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-HUF76113T3ST
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HUF76113T3ST

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-HUF76113T3ST

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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HUF76113T3ST Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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HUF76113T3ST详情

技术参数

Fairchild Semiconductor HUF76113T3ST重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装

SOT-223-4
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

1.1W (Ta)
Product Status

活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

31mOhm @ 4.7A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

625 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20.5 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

30 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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