Fairchild Semiconductor HUF76113T3ST

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件包装

SOT-223-4

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

1.1W (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

31mOhm @ 4.7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

625 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-