Fairchild Semiconductor IRF654BFP001

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220

厂商

Fairchild Semiconductor

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

156W (Tc)

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF654B_FP001

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.84

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

Reach合规守则

compliant

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

140mOhm @ 10.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3400 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

123 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

250 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21 A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

156 W

场效应管特性

-