对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 触点镀层 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 房屋材料 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 系列 | 无铅代码 | 类型 | 端子表面处理 | 性别 | 技术 | 触头总数 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 引脚数量 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大额定电流 | 场效应管特性 | 产品长度(mm) | 产品高度(mm) | |||||||||||||||||||||||
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IRFW740BTM | Fairchild Semiconductor | 数据表 | 6850 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | Fairchild Semiconductor | 3.13W (Ta), 134W (Tc) | 活跃 | Bulk | 10A (Tc) | 10V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 540mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 1800 pF @ 25 V | 53 nC @ 10 V | 400 V | ±30V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFW740BTM | ON Semiconductor | 数据表 | 68943 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Gold Over Nickel | YES | Polyetherimide | 2 | SILICON | -65C to 175C | Panel | D2PAK-3 | 小概要 | 未说明 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | IRFW740BTM | RECTANGULAR | Rochester Electronics LLC | 1 | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.22 | D2PAK | 10 A | Straight | 27.55(mm) | 有 | Rectangular | 未说明 | RCP | 5(POS) | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 3 | Crimp | R-PSSO-G2 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-263AB | 0.54 Ω | 40 A | 400 V | 450 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 7.5/Contact(A) | 24.81(mm) | 16(mm) |


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