Fairchild Semiconductor J210_D27Z
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J210_D27Z
836-J210_D27Z
晶体管 - JFET
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大陆
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92
1最小包装量--
J210_D27Z详情
Fairchild Semiconductor J210_D27Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Voltage, Rating
25 V
Voltage Rating (DC)
25 V
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
350 mW
额定电流
15 mA
元素配置
Single
功率耗散
350 mW
漏源电压 (Vdss)
1.5 V
连续放电电流(ID)
20 mA
栅极至源极电压(Vgs)
-25 V
无铅
无铅
J210_D27Z拓展信息







哦! 它是空的。