Fairchild Semiconductor KSC5042FYDTU
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KSC5042FYDTU
836-KSC5042FYDTU
分立半导体产品
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
1最小包装量--
KSC5042FYDTU详情
Fairchild Semiconductor KSC5042FYDTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Collector-Emitter Breakdown Voltage
900 V
hFEMin
30
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
900 V
RoHS
Compliant
包装
Rail/Tube
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
6 W
额定电流
100 mA
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
6 W
集电极发射器电压(VCEO)
900 V
最大集电极电流
100 mA
集电极基极电压(VCBO)
1.5 kV
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
无铅
无铅
KSC5042FYDTU拓展信息
Fairchild Semiconductor
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