注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Fairchild Semiconductor KSC5504DTM

Name: KSC5504DTM
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-KSC5504DTM
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

KSC5504DTM

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-KSC5504DTM

商品类别

分立半导体产品

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-263AB, Plastic/Epoxy, 2 Pin, D2PAK-3

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

KSC5504DTM Fairchild Semiconductor Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-263AB, Plastic/Epoxy, 2 Pin, D2PAK-3

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

KSC5504DTM详情

技术参数

Fairchild Semiconductor KSC5504DTM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

Surface Mount, Through Hole
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V
hFEMin

15
Number of Elements

1
Voltage Rating (DC)

600 V
RoHS

Compliant
包装

卷带
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-65 °C
最大功率耗散

75 W
额定电流

4 A
频率

11 MHz
极性

NPN
元素配置

Single
功率耗散

75 W
增益带宽积

11 MHz
集电极发射器电压(VCEO)

600 V
最大集电极电流

4 A
转换频率

11 MHz
集电极基极电压(VCBO)

1.2 kV
发射极基极电压 (VEBO)

12 V
无铅

无铅

0个相似型号

KSC5504DTM拓展信息

热销零件