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KSC5802

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Fairchild Semiconductor KSC5802

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对比

型号

KSC5802

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-KSC5802

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN

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KSC5802

KSC5802 Fairchild Semiconductor Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN

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KSC5802详情

技术参数

Fairchild Semiconductor KSC5802重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

KSC5802
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank

8.8
Part Package Code

TO-3PF
JESD-609代码

e0
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别

其他晶体管
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

NPN
最大耗散功率(Abs)

60 W
集电极电流-最大值(IC)

10 A
最小直流增益（hFE）

7
集电极-发射器电压-最大值

800 V

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