Fairchild Semiconductor KSC838OBU
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KSC838OBU
836-KSC838OBU
分立半导体产品
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
1最小包装量--
KSC838OBU详情
Fairchild Semiconductor KSC838OBU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
hFEMin
70
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
30 V
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
250 mW
额定电流
30 mA
频率
250 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
250 mW
增益带宽积
250 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
30 V
最大集电极电流
30 mA
最高频率
250 MHz
转换频率
250 MHz
集电极基极电压(VCBO)
35 V
发射极基极电压 (VEBO)
4 V
连续集电极电流
30 mA
无铅
无铅
KSC838OBU拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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