Fairchild Semiconductor KSC900CYTA

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25 V

hFEMin

120

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

25 V

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

250 mW

额定电流

50 mA

频率

100 MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

250 mW

增益带宽积

100 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

25 V

最大集电极电流

50 mA

转换频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

辐射硬化

无

无铅

无铅