Fairchild Semiconductor KSD1589RTU
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KSD1589RTU
836-KSD1589RTU
分立半导体产品
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大陆
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN
1最小包装量--
KSD1589RTU详情
Fairchild Semiconductor KSD1589RTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100 V
hFEMin
2000
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
100 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
1.5 W
额定电流
5 A
极性
NPN
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
100 V
最大集电极电流
5 A
集电极基极电压(VCBO)
150 V
发射极基极电压 (VEBO)
7 V
连续集电极电流
5 A
无铅
无铅
KSD1589RTU拓展信息
Fairchild Semiconductor
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