Fairchild Semiconductor MMBTH81_D87Z

底架

表面贴装

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20 V

hFEMin

60

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

225 mW

频率

600 MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

225 mW

增益带宽积

600 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

20 V

最大集电极电流

50 mA

最高频率

600 MHz

转换频率

600 MHz

集电极基极电压(VCBO)

20 V

发射极基极电压 (VEBO)

3 V

连续集电极电流

50 mA