Fairchild Semiconductor MPSH24_D26Z
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MPSH24_D26Z
836-MPSH24_D26Z
分立半导体产品
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
1最小包装量--
MPSH24_D26Z详情
Fairchild Semiconductor MPSH24_D26Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
RoHS
Compliant
Number of Elements
1
hFEMin
30
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
625 mW
频率
400 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
625 mW
增益带宽积
400 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
30 V
最大集电极电流
50 mA
最高频率
400 MHz
转换频率
400 MHz
集电极基极电压(VCBO)
40 V
发射极基极电压 (VEBO)
4 V
连续集电极电流
50 mA
MPSH24_D26Z拓展信息
Fairchild Semiconductor
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