Fairchild Semiconductor NDH832P

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSOP (0.130, 3.30mm Width)

供应商器件包装

SuperSOT™-8

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

60mOhm @ 4.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

-8V

场效应管特性

-