Fairchild Semiconductor PN100A_D26Z
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PN100A_D26Z
836-PN100A_D26Z
分立半导体产品
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
1最小包装量--
PN100A_D26Z详情
Fairchild Semiconductor PN100A_D26Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45 V
hFEMin
300
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
625 mW
频率
250 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
625 mW
增益带宽积
250 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
45 V
最大集电极电流
500 mA
转换频率
250 MHz
集电极基极电压(VCBO)
75 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
连续集电极电流
500 mA
辐射硬化
无
PN100A_D26Z拓展信息
Fairchild Semiconductor
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