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Fairchild Semiconductor RFD4N06LSM9A

Name: RFD4N06LSM9A
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-RFD4N06LSM9A
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RFD4N06LSM9A

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-RFD4N06LSM9A

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

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RFD4N06LSM9A Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

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RFD4N06LSM9A详情

技术参数

Fairchild Semiconductor RFD4N06LSM9A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装

TO-252, (D-Pak)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

30W (Tc)
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 1A, 5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

60 V
Vgs（最大值）

±10V
场效应管特性

-

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