Fairchild Semiconductor RFG70N06
- 收藏
- 对比
RFG70N06
836-RFG70N06
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN
1最小包装量--
RFG70N06详情
Fairchild Semiconductor RFG70N06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
60 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
32 ns
包装
Bulk
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
150 W
额定电流
70 A
元素配置
Single
功率耗散
150 W
上升时间
137 ns
漏源电压 (Vdss)
60 V
连续放电电流(ID)
70 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
60 V
输入电容
2.25 nF
漏源电阻
14 mΩ
最大rds
14 mΩ
无铅
无铅
RFG70N06拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor







哦! 它是空的。