RFG70N06
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Fairchild Semiconductor RFG70N06

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型号

RFG70N06

utmel 编号

836-RFG70N06

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN

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RFG70N06 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN

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RFG70N06详情

Fairchild Semiconductor RFG70N06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rating (DC)

    60 V

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    32 ns

  • 包装

    Bulk

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    150 W

  • 额定电流

    70 A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    150 W

  • 上升时间

    137 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • 连续放电电流(ID)

    70 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏源击穿电压

    60 V

  • 输入电容

    2.25 nF

  • 漏源电阻

    14 mΩ

  • 最大rds

    14 mΩ

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

RFG70N06拓展信息

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