Fairchild Semiconductor RFP2N10L
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RFP2N10L
836-RFP2N10L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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RFP2N10L详情
Fairchild Semiconductor RFP2N10L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Voltage Rating (DC)
100 V
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
25 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
25 W
额定电流
2 A
元素配置
Single
功率耗散
25 W
上升时间
15 ns
漏源电压 (Vdss)
100 V
连续放电电流(ID)
2 A
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
漏源击穿电压
100 V
输入电容
200 pF
漏源电阻
1.05 Ω
最大rds
1.05 Ω
无铅
含铅
RFP2N10L拓展信息
Fairchild Semiconductor
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