RFP2N10L
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Fairchild Semiconductor RFP2N10L

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型号

RFP2N10L

utmel 编号

836-RFP2N10L

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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RFP2N10L Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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RFP2N10L详情

Fairchild Semiconductor RFP2N10L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • Voltage Rating (DC)

    100 V

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Turn Off Delay Time

    25 ns

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    25 W

  • 额定电流

    2 A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    25 W

  • 上升时间

    15 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100 V

  • 连续放电电流(ID)

    2 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10 V

  • 漏源击穿电压

    100 V

  • 输入电容

    200 pF

  • 漏源电阻

    1.05 Ω

  • 最大rds

    1.05 Ω

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

RFP2N10L拓展信息

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