Fairchild Semiconductor SSN1N45BBU

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件包装

TO-92-3

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

900mW (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.25Ohm @ 250mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

240 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

450 V

Vgs（最大值）

±50V

场效应管特性

-