Fairchild Semiconductor SSR1N60BTM

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

TO-252, (D-Pak)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

900mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12Ohm @ 450mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

215 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.7 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-