FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP NDH8502P

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e3

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.11Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.9W

RoHS状态

符合RoHS标准