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Fairchild Semiconductor Corporation SSD2007A

Name: SSD2007A
Brand: Fairchild Semiconductor Corporation
SKU: 836-SSD2007A
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SSD2007A

品牌

Fairchild Semiconductor Corporation

utmel 编号

836-SSD2007A

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SSD2007A Fairchild Semiconductor Corporation Description: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SSD2007A详情

技术参数

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Fairchild Semiconductor Corporation SSD2007A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Part Package Code

SOT
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)

2 A
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
引脚数量

8
JESD-30代码

R-PDSO-G8
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8 A
DS 击穿电压-最小值

50 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

2 W

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技术文档: Fairchild Semiconductor Corporation SSD2007A.

数据表 :
FAIRS23552-1.pdf

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