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Fairchild Semiconductor Corporation SSD2019A

Name: SSD2019A
Brand: Fairchild Semiconductor Corporation
SKU: 836-SSD2019A
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SSD2019A

品牌

Fairchild Semiconductor Corporation

utmel 编号

836-SSD2019A

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SSD2019A Fairchild Semiconductor Corporation Description: Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SSD2019A详情

技术参数

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Fairchild Semiconductor Corporation SSD2019A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Part Package Code

SOT
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)

3.4 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
引脚数量

8
JESD-30代码

R-PDSO-G8
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.11 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8 A
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

2 W

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技术文档: Fairchild Semiconductor Corporation SSD2019A.

数据表 :
FAIRS32576-1.pdf

SSD2019A拓展信息

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