Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 2N6661
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2N6661
909-2N6661
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
1最小包装量--
2N6661详情
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 2N6661重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
5 Weeks
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2N6661
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Risk Rank
1.63
Drain Current-Max (ID)
0.35 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Gold (Ni/Au)
附加功能
高输入阻抗
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-39
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2 A
漏极-源极导通最大电阻
4 Ω
DS 击穿电压-最小值
90 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
6.25 W
反馈上限-最大值 (Crss)
10 pF
2N6661拓展信息
Freescale
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