2N6661
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Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 2N6661

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型号

2N6661

utmel 编号

909-2N6661

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag

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2N6661
2N6661 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag

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2N6661详情

Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 2N6661重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    2N6661

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROCHIP TECHNOLOGY INC

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

  • Risk Rank

    1.63

  • Drain Current-Max (ID)

    0.35 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    METAL

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • JESD-609代码

    e4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Gold (Ni/Au)

  • 附加功能

    高输入阻抗

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-39

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    4 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    90 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    6.25 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    10 pF

0个相似型号

2N6661拓展信息

MRF8HP21080HR5
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MRF7S35015HSR5
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MRF377HR3
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MRF6S19120HSR5
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MRF5S19130HSR5
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MRF7S21080HSR3
MRF7S21080HSR3

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MRF7S24250NR3
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