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1MBH03D-120

1MBH03D-120

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Fuji 1MBH03D-120

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对比

型号

1MBH03D-120

品牌

utmel 编号

920-1MBH03D-120

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PL, 3 PIN

起订量

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1MBH03D-120

1MBH03D-120 Fuji Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PL, 3 PIN

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1MBH03D-120详情

技术参数

Fuji 1MBH03D-120重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)

270 ns
Operating Temperature-Max

150 °C
Manufacturer Part Number

1MBH03D-120
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FUJI ELECTRIC CO LTD
Rise Time-Max (tr)

600 ns
Risk Rank

5.81
Part Package Code

TO-3PL
子类别

绝缘栅BIP晶体管
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
引脚数量

2
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
极性/通道类型

N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)

80 W
集电极电流-最大值(IC)

5.5 A
集电极-发射器电压-最大值

1200 V
栅极-发射极电压-最大值

20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值

8.5 V
最大下降时间 (tf)

500 ns

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1MBH03D-120拓展信息

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