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技术文档
型号
2SK2647-01MR
品牌
Fuji
utmel 编号
920-2SK2647-01MR
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN
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2SK2647-01MR详情
技术参数
Fuji 2SK2647-01MR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.36
Part Package Code
TO-220F15
Drain Current-Max (ID)
4 A
附加功能
雪崩 额定
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
16 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
109 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
达到SVHC
unknown
2SK2647-01MR拓展信息
公司资质
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