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Fuji Electric 2SK3875-01

Name: 2SK3875-01
Brand: Fuji Electric
SKU: 920-2SK3875-01
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SK3875-01

品牌

Fuji Electric

utmel 编号

920-2SK3875-01

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN

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2SK3875-01 Fuji Electric Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN

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2SK3875-01详情

技术参数

Fuji Electric 2SK3875-01重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
引脚数

3
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number

2SK3875-01
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank

5.82
Part Package Code

TO-247
Drain Current-Max (ID)

13 A
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-247
漏极-源极导通最大电阻

1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52 A
DS 击穿电压-最小值

900 V
雪崩能量等级（Eas）

1006 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC

unknown

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2SK3875-01拓展信息

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