Fuji Electric FMI16N60E

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

FMI16N60E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fuji Electric Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

FUJI ELECTRIC CO LTD

Risk Rank

5.72

Drain Current-Max (ID)

16 A

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.47 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

554.8 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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