Fuji Electric FML19N50G

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

FML19N50G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fuji Electric Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

FUJI ELECTRIC CO LTD

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

1.4 A

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.38 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

582.5 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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