Fuji Electric FMV10N80E
- 收藏
- 对比
FMV10N80E
920-FMV10N80E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F(SLS), 3 PIN
--最小包装量--
FMV10N80E详情
Fuji Electric FMV10N80E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
FMV10N80E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.73
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
10 A
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
1.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
572.4 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FMV10N80E拓展信息
Fuji
Fuji Electric
Fuji
Fuji Electric
Fuji
Fuji Electric
Fuji Electric
Fuji Electric
Fuji
Fuji Electric







哦! 它是空的。