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Fuji Electric FMV10N80E

Name: FMV10N80E
Brand: Fuji Electric
SKU: 920-FMV10N80E
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FMV10N80E

品牌

Fuji Electric

utmel 编号

920-FMV10N80E

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F(SLS), 3 PIN

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FMV10N80E Fuji Electric Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F(SLS), 3 PIN

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FMV10N80E详情

技术参数

Fuji Electric FMV10N80E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number

FMV10N80E
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank

5.73
Part Package Code

TO-220AB
Drain Current-Max (ID)

10 A
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

1.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A
DS 击穿电压-最小值

800 V
雪崩能量等级（Eas）

572.4 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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