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Fuji Electric FMV21N50ES

Name: FMV21N50ES
Brand: Fuji Electric
SKU: 920-FMV21N50ES
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FMV21N50ES

品牌

Fuji Electric

utmel 编号

920-FMV21N50ES

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D),500V,0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB

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FMV21N50ES Fuji Electric Power Field-Effect Transistor, 21A I(D),500V,0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB

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FMV21N50ES详情

技术参数

Fuji Electric FMV21N50ES重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

150 °C
Manufacturer Part Number

FMV21N50ES
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank

5.76
Part Package Code

TO-220AB
Drain Current-Max (ID)

21 A
附加功能

低噪音
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)

21 A
漏极-源极导通最大电阻

0.27 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84 A
DS 击穿电压-最小值

500 V
雪崩能量等级（Eas）

714.5 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

120 W

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FMV21N50ES拓展信息

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