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技术文档
型号
08N50E
品牌
Fujitsu
utmel 编号
922-08N50E
商品类别
集成电路(IC)
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
08N50E datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Fujitsu stock available at utmel
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08N50E详情
技术参数
Fujitsu 08N50E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
FMV08N50E
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Part Package Code
TO-220AB
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank
5.74
Drain Current-Max (ID)
7.5 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.79 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
301.1 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
37 W
08N50E拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:HLACCD068A-L1
封装:--
品牌:Fujitsu
库存:0
型号:FCN-724P014-G/WM
型号:FBR22ND03-P
型号:FBR22NH24-P
型号:FBR21NH18-P
型号:FBR22D01-P
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