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技术文档
型号
FMV11N90E
品牌
Fujitsu
utmel 编号
922-FMV11N90E
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IC, MOSFET, N-Channel, FAP-E3 Planar, 900V, 11A, 120W, TO-220F(SLS)
起订量
--最小包装量--
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FMV11N90E详情
技术参数
Fujitsu FMV11N90E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fuji Electric Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.74
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
11 A
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
44 A
DS 击穿电压-最小值
900 V
雪崩能量等级(Eas)
811.9 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
120 W
FMV11N90E拓展信息
相关分类
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:2SK899
封装:--
品牌:Fujitsu
库存:100
型号:2SK3532-01MR
库存:80000
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