FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC 2SC2526

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

附加功能

环型发射极晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

转换频率

80MHz

集电极电流-最大值(IC)

12A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

160V

VCEsat-最大值

1.8 V

集电极-基极电容-最大值

300pF

环境耗散-最大值

120W