FUJITSU Semiconductor Limited 2MBI1200VG-170E
- 收藏
- 对比
2MBI1200VG-170E
922-2MBI1200VG-170E
晶体管 - IGBT - 单个
--
大陆
立即发货

Description: IGBT
1最小包装量--
2MBI1200VG-170E详情
FUJITSU Semiconductor Limited 2MBI1200VG-170E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
10
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
FUJITSU LTD
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X10
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)
2620 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
3790 ns
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X10
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
1600 A
集电极-发射器电压-最大值
1700 V
2MBI1200VG-170E拓展信息







哦! 它是空的。