FUJITSU Semiconductor Limited FT6112D

表面安装

NO

终端数量

12

晶体管元件材料

SILICON

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T12

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

Number of Elements

4

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T12

资历状况

不合格

配置

2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9 A

DS 击穿电压-最小值

120 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

90 pF

环境耗散-最大值

40 W