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技术文档
型号
2N7002E
品牌
FUXINSEMI
utmel 编号
927-2N7002E
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
60V 340mA 350mW 1Ω@10V,0.5A 2.5V@1mA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
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2N7002E详情
技术参数
FUXINSEMI 2N7002E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
60V
Power Dissipation (Pd)
350mW
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
1Ω@10V,0.5A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
2.5V@1mA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
10pF@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
40pF@10V
Package
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
类型
1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)
340mA
2N7002E拓展信息
相关分类
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:C2M1000170D
封装:--
品牌:FUXINSEMI
库存:0
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型号:BSS84
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