Galaxy Microelectronics 1N5919
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1N5919详情
Galaxy Microelectronics 1N5919重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Power Dissipation (Max)
1.5 W
Reference Voltage-Nom
5.6 V
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
参考标准
MIL-STD-202
JESD-30代码
O-XALF-W2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
20%
JEDEC-95代码
DO-41
工作测试电流
66.9 mA
反向电流-最大值
5 µA
动态阻抗-最大值
2 Ω
反向测试电压
3 V
膝阻抗-最大
250 Ω
1N5919拓展信息
Galaxy Microelectronics
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics








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