Galaxy Microelectronics AZ23B6V2
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AZ23B6V2详情
Galaxy Microelectronics AZ23B6V2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Power Dissipation (Max)
0.3 W
Reference Voltage-Nom
6.2 V
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
参考标准
MIL-STD-202
JESD-30代码
R-PDSO-G3
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管类型
泽纳电极
最大电压允差
2%
工作测试电流
5 mA
反向电流-最大值
0.1 μA
动态阻抗-最大值
10 Ω
反向测试电压
2 V
电压温度系数
1.86 mV/°C
膝阻抗-最大
200 Ω
AZ23B6V2拓展信息
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
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