Galaxy Microelectronics RD13P
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RD13P详情
Galaxy Microelectronics RD13P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Power Dissipation (Max)
1 W
Reference Voltage-Nom
13 V
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
参考标准
MIL-STD-202
JESD-30代码
R-PSSO-F3
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
最大电压允差
6.42%
工作测试电流
5 mA
反向电流-最大值
0.1 µA
动态阻抗-最大值
30 Ω
反向测试电压
8 V
电压温度系数
11 mV/°C
膝阻抗-最大
170 Ω
RD13P拓展信息
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
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